百能云芯(元器件)首页 > 元器件分类 > 晶体管 > 场效应管(MOSFET) > DMN2400UFB-7
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货期:
品牌:
分类:
封装:
X1-DFN1006-3
描述:
MOSFET, N-CH, 20V, 0.75A, X1-DFN1006
商品型号 :
DMN2400UFB-7
类目 :
品牌 :
DIODES(美台)
最小包装量 :
1
起订量 :
5
批次 :
--
包装 :
--
库存 :
5810
系列
--
包装
卷带(TR);剪切带(CT)
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
20V
25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)
750mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V
不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)
550 毫欧@600mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
900mV@250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.5 nC@4.5 V
Vgs(最大值)
±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
36pF@16 V
FET 功能
--
功率耗散(最大值)
470mW(Ta)
工作温度
-55℃~150℃(TJ)
等级
--
资质
--
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
X1-DFN1006-3
封装/外壳
3-UFDFN
基本产品编号
DMN2400
REACH 状态
不受 REACH影响
ECCN
EAR99
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增量: 1
批次: 2126
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