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DMG3415UQ-7

阶梯

美金

含税

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10+

$0.2136

¥1.6315

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¥1.4366

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1000+

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关税
  • 库存:70
  • 起订量:5
  • 倍数:5

货期:

大陆: 10-14工作日
香港: 8-12工作日

数量:

- +

合计:

¥17.9035

  • 最小包装量:1

商品DMG3415UQ-7规格参数

商品型号 :

DMG3415UQ-7

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

DIODES(美台)

最小包装量 :

1

起订量 :

5

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

70

系列

--

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

P 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

20V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

4A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

1.8V,4.5V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

42.5 毫欧@4A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

1V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

9.1 nC@4.5 V

Vgs(最大值)

±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

294pF@10 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

900mW(Ta)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

等级

汽车级

资质

AEC-Q101

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

SOT-23-3

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

基本产品编号

DMG3415

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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