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DGTD65T15H2TF

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商品DGTD65T15H2TF规格参数

商品型号 :

DGTD65T15H2TF

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

DIODES(美台)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

706

系列

--

包装

管件

IGBT 类型

场截止

电压 - 集射极击穿(最大值)

650V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值)

30A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)

60A

不同 Vge,Ic 时 Vce(on)(最大值)

2V@15V,15A

功率 - 最大值

48W

开关能量

270µJ(导通),86µJ(关断)

输入类型

标准

栅极电荷

61 nC

25℃ 时 Td(开/关)值

19ns/128ns

测试条件

400V,15A,10 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr)

150ns

工作温度

-40℃~175℃(TJ)

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-220-3 全封装,隔离接片

供应商器件封装

ITO-220AB

基本产品编号

DGTD65

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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  • DGTD65T15H2TF

    品牌: DIODES(美台)

    分类: 场效应管(MOSFET)

    封装: ITO-220AB

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  • DGTD65T15H2TF

    品牌: DIODES(美台)

    分类: 场效应管(MOSFET)

    封装: ITO-220AB

    库存: 1000

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