ASDM30N120Q-R

• 库存：4877
• 起订量：5
• 倍数：5

• 品牌：

  ASDsemi(安森德)

• 分类：

  场效应管(MOSFET)

• 封装：

  DFN5x6-8

• 描述：

  类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：120A 功率(Pd)：45W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.1mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：63nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：2.88nF@15V 反向传输电容(Crss@Vds)：410pF@15V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)

  展开

• 最小包装量：4000