SI6423DQ-T1-GE3

商品型号 :

SI6423DQ-T1-GE3

类目 :

其它

品牌 :

VISHAY(威世)

最小包装量 :

3000

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

1175

系列

TrenchFET®

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

P 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

12V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

8.2A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

1.8V,4.5V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

8.5 毫欧@9.5A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

800mV@400µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

110 nC@5 V

Vgs(最大值)

±8V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

1.05W(Ta)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

8-TSSOP

封装/外壳

8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)

基本产品编号

SI6423

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99