CSD87384M

商品型号 :

CSD87384M

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

TI(德州仪器)

最小包装量 :

2500

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

9

系列

NexFET™

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

技术

MOSFET(金属氧化物)

配置

2 个 N 通道(半桥)

FET 功能

逻辑电平门

漏源电压(Vdss)

30V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

30A

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

7.7 毫欧@25A,8V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

1.9V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

9.2nC@4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

1150pF@15V

功率 - 最大值

8W

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

5-LGA

供应商器件封装

5-PTAB(5x3.5)

基本产品编号

CSD87384

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99