NTMC083NP10M5L

商品型号 :

NTMC083NP10M5L

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Onsemi(安森美)

最小包装量 :

2500

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

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库存 :

72

系列

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包装

卷带(TR);剪切带(CT)

技术

MOSFET(金属氧化物)

配置

N 和 P 沟道

FET 功能

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漏源电压(Vdss)

100V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

2.9A(Ta),4.1A(Tc),2.4A(Ta),3.3A(Tc)

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

83 毫欧@1.5A,10V,131 毫欧@1.5A,10V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

5nC@10V,8.4nC@10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

222pF@50V,525pF@50V

功率 - 最大值

1.6W(Ta),3.1W(Tc)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

供应商器件封装

8-SOIC

基本产品编号

NTMC083

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99