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BSS816NWH6327XTSA1

阶梯

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3000+

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¥0.3719

6000+

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¥0.3453

  • 库存:50497
  • 起订量:5
  • 倍数:5

货期:

大陆: 2-4工作日

数量:

- +

合计:

¥3.955

  • 最小包装量:3000

商品BSS816NWH6327XTSA1规格参数

商品型号 :

BSS816NWH6327XTSA1

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Infineon(英飞凌)/Cypress

最小包装量 :

3000

起订量 :

5

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

50497

系列

OptiMOS™

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

20V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

1.4A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

1.8V,2.5V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

160 毫欧@1.4A,2.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

750mV@3.7µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

0.6 nC@2.5 V

Vgs(最大值)

±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

180pF@10 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

500mW(Ta)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

等级

汽车级

资质

AEC-Q101

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-SOT323

封装/外壳

SC-70,SOT-323

基本产品编号

BSS816

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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