C2M0045170D

商品型号 :

C2M0045170D

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

CREE/WOLFSPEED

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

2450+

包装 :

--

库存 :

762

系列

C2M™

包装

管件

FET 类型

N 通道

技术

SiCFET(碳化硅)

漏源电压(Vdss)

1700V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

72A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

20V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

70 毫欧@50A,20V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

4V@18mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

188 nC@20 V

Vgs(最大值)

+25V,-10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

3672pF@1000 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

520W(Tc)

工作温度

-40℃~150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

通孔

供应商器件封装

TO-247-3

封装/外壳

TO-247-3

基本产品编号

C2M0045170

REACH 状态

受 REACH 影响

ECCN

EAR99