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IRF6662TRPBF

阶梯

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  • 库存:52
  • 起订量:6
  • 倍数:1

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大陆: 9-12工作日
香港: 6-9工作日

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- +

合计:

¥115.5456

  • 最小包装量:1
  • 批次:2139+

商品IRF6662TRPBF规格参数

商品型号 :

IRF6662TRPBF

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Infineon(英飞凌)/Cypress

最小包装量 :

1

起订量 :

6

批次 :

2139+

包装 :

--

库存 :

52

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

100V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

8.3A(Ta),47A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

22 毫欧@8.2A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

4.9V@100µA

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

1360pF@25 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

2.8W(Ta),89W(Tc)

工作温度

-40℃~150℃(TJ)

湿气等级

1(无限)

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