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LN3406DT2AG

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  • 品牌:

    LRC(乐山无线)

  • 分类:

    场效应管(MOSFET)

  • 封装:

    DFN2020MD-6

  • 描述:

    类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):10A 功率(Pd):2.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):13.5mΩ@4.5V,8A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.3V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):24nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds):2.141nF@15V 反向传输电容(Crss@Vds):205pF@15V 工作温度:-55℃~+150℃@(Tj)

  • 最小包装量:4000

商品LN3406DT2AG规格参数

商品型号 :

LN3406DT2AG

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

LRC(乐山无线)

最小包装量 :

4000

起订量 :

5

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