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封装:
DFN2020MD-6
描述:
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):10A 功率(Pd):2.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):13.5mΩ@4.5V,8A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.3V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):24nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds):2.141nF@15V 反向传输电容(Crss@Vds):205pF@15V 工作温度:-55℃~+150℃@(Tj)
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