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GT20N135SRA,S1E

阶梯

美金

含税

1+

$48.1275

¥399.6364

30+

$26.813

¥222.6473

120+

$22.1158

¥183.6434

510+

$18.6698

¥155.0284

1020+

$17.4123

¥144.5864

2010+

$16.3762

¥135.9829

5010+

$16.358

¥135.8321

关税
  • 库存:14
  • 起订量:1
  • 倍数:1

货期:

大陆: 10-13工作日
香港: 8-11工作日

数量:

- +

合计:

¥399.6364

  • 包装:管件
  • 最小包装量:30

商品GT20N135SRA,S1E规格参数

商品型号 :

GT20N135SRA,S1E

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

TOSHIBA(东芝)

最小包装量 :

30

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

管件

库存 :

14

系列

--

包装

管件

IGBT 类型

--

电压 - 集射极击穿(最大值)

1350V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值)

40A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)

80A

不同 Vge,Ic 时 Vce(on)(最大值)

2.4V@15V,40A

功率 - 最大值

312W

开关能量

-,700µJ(关)

输入类型

标准

栅极电荷

185 nC

25℃ 时 Td(开/关)值

--

测试条件

300V,40A,39 欧姆,15V

工作温度

175℃(TJ)

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-247-3

供应商器件封装

TO-247

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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