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PSMNR55-40SSHJ

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含税

2000+

$20.3655

¥169.109

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  • 库存:1290
  • 起订量:2000
  • 倍数:2000

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数量:

- +

合计:

¥338218.00

  • 包装:卷带(TR)
  • 最小包装量:1

商品PSMNR55-40SSHJ规格参数

商品型号 :

PSMNR55-40SSHJ

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Nexperia(安世)

最小包装量 :

1

起订量 :

2000

批次 :

--

包装 :

卷带(TR)

库存 :

1290

系列

--

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

40V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

500A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

0.55 毫欧@25A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

3.6V@1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

267 nC@10 V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

21162pF@25 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

375W(Tc)

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

LFPAK88(SOT1235)

封装/外壳

SOT-1235

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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