百能云芯(元器件)首页 > 元器件分类 > 晶体管 > 场效应管(MOSFET) > DMN1008UFDF-7
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货期:
品牌:
分类:
封装:
U-DFN2020-6(F 类)
描述:
MOSFET, N-CH, 12V, 12.2A, U-DFN2020
商品型号 :
DMN1008UFDF-7
类目 :
品牌 :
DIODES(美台)
最小包装量 :
1
起订量 :
5
批次 :
--
包装 :
--
库存 :
2286
系列
--
包装
卷带(TR);剪切带(CT)
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
12V
25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)
12.2A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,4.5V
不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)
8 毫欧@5A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V@250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
23.4 nC@8 V
Vgs(最大值)
±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
995pF@6 V
FET 功能
--
功率耗散(最大值)
700mW(Ta)
工作温度
-55℃~150℃(TJ)
等级
汽车级
资质
AEC-Q101
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
U-DFN2020-6(F 类)
封装/外壳
6-UDFN 祼焊盘
基本产品编号
DMN1008
REACH 状态
不受 REACH影响
ECCN
EAR99
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库存: 12
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增量: 1
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