WG50N65DHWQ

商品型号 :

WG50N65DHWQ

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

WeEn(瑞能)

最小包装量 :

600

起订量 :

600

批次 :

2606+

包装 :

--

库存 :

18600

系列

--

包装

管件

IGBT 类型

沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值)

650V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值)

91A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)

200A

不同 Vge,Ic 时 Vce(on)(最大值)

2V@15V,50A

功率 - 最大值

278W

开关能量

1.7mJ(导通),600µJ(关断)

输入类型

标准

栅极电荷

160 nC

25℃ 时 Td(开/关)值

66ns/163ns

测试条件

400V,50A,10 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr)

105ns

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-247-3

供应商器件封装

TO-247-3

基本产品编号

WG50N65D

REACH 状态

受 REACH 影响

ECCN

EAR99