IPG20N06S4L11ATMA2

商品型号 :

IPG20N06S4L11ATMA2

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Infineon(英飞凌)/Cypress

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

2408+

包装 :

Cut Strips

库存 :

4884

系列

OptiMOS™

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

技术

MOSFET(金属氧化物)

配置

2 N-通道(双)

FET 功能

逻辑电平门

漏源电压(Vdss)

60V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

20A(Tc)

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

11.2 毫欧@17A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2.2V@28µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

53nC@10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

4020pF@25V

功率 - 最大值

65W(Tc)

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

等级

汽车级

资质

AEC-Q101

安装类型

表面贴装,可润湿侧翼

封装/外壳

8-PowerVDFN

供应商器件封装

PG-TDSON-8-10

基本产品编号

IPG20N

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99