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TK9P65W,RQ

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  • 库存:1864
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  • 最小包装量:1
  • 批次:1840+

商品TK9P65W,RQ规格参数

商品型号 :

TK9P65W,RQ

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

TOSHIBA(东芝)

最小包装量 :

1

起订量 :

9

批次 :

1840+

包装 :

--

库存 :

1864

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

650V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

9.3A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

560 毫欧@4.6A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

3.5V@350µA

Vgs(最大值)

±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

700pF@300 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

80W(Tc)

工作温度

150℃(TJ)

湿气等级

1(无限)

产品状态

在售

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