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QH8KC6TCR
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- 库存：1059
- 起订量：1
- 倍数：1
货期：
-
品牌：
-
分类：
-
封装：
TSMT8
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描述：
场效应管, MOSFET, 双, N沟道, 60V, 5.5A, TSMT
- 最小包装量：1
QH8KC6TCR其他库存
商品QH8KC6TCR规格参数
商品型号 :
QH8KC6TCR
类目 :
品牌 :
Rohm(罗姆)
最小包装量 :
1
起订量 :
1
批次 :
--
包装 :
--
库存 :
1059
系列
--
包装
卷带(TR);剪切带(CT)
技术
MOSFET(金属氧化物)
配置
2 N-通道(双)
FET 功能
--
漏源电压(Vdss)
60V
25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)
5.5A(Ta)
不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)
30 毫欧@5.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V@1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
7.6nC@10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
460pF@30V
功率 - 最大值
1.1W(Ta)
工作温度
150℃(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SMD,扁平引线
供应商器件封装
TSMT8
基本产品编号
QH8KC6
REACH 状态
不受 REACH影响
ECCN
EAR99
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