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SIA527DJ-T1-GE3
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- 库存：585
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货期：
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品牌：
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分类：
-
封装：
PowerPAK® SC-70-6 双
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描述：
场效应管, MOSFET, N/P沟道/12V/4.5A/POWERPAKSC70
- 最小包装量：1
SIA527DJ-T1-GE3其他库存
商品SIA527DJ-T1-GE3规格参数
商品型号 :
SIA527DJ-T1-GE3
类目 :
品牌 :
VISHAY(威世)
最小包装量 :
1
起订量 :
5
批次 :
--
包装 :
--
库存 :
585
系列
TrenchFET®
包装
卷带(TR);剪切带(CT)
技术
MOSFET(金属氧化物)
配置
N 和 P 沟道
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
12V
25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.5A
不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)
29 毫欧@5A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V@250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
15nC@8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
500pF@6V
功率 - 最大值
7.8W
工作温度
-55℃~150℃(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
PowerPAK® SC-70-6 双
供应商器件封装
PowerPAK® SC-70-6 双
基本产品编号
SIA527
REACH 状态
未明确供应商
ECCN
EAR99
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