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SUM110P08-11L-E3

阶梯

美金

含税

1+

--

¥26.4767

10+

--

¥22.4253

30+

--

¥19.6136

100+

--

¥17.191

500+

--

¥16.00

800+

--

¥15.3736

  • 库存:792
  • 起订量:1
  • 倍数:1

货期:

大陆: 2-4工作日

数量:

- +

合计:

¥26.4767

  • 最小包装量:800

商品SUM110P08-11L-E3规格参数

商品型号 :

SUM110P08-11L-E3

类目 :

其它

品牌 :

VISHAY(威世)

最小包装量 :

800

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

792

系列

TrenchFET®

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

P 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

80V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

110A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

11.2 毫欧@20A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

3V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

270 nC@10 V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

10850pF@40 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

13.6W(Ta),375W(Tc)

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

TO-263(D2PAK)

封装/外壳

TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB

基本产品编号

SUM110

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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