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SQJ946EP-T1_GE3
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- 库存：7168
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- 倍数：5
货期：
-
品牌：
-
分类：
-
封装：
PowerPAK® SO-8 双
-
描述：
MOSFET, DUAL, N-CH, 40V, POWERPAK SO-8L
- 最小包装量：1
SQJ946EP-T1_GE3其他库存
商品SQJ946EP-T1_GE3规格参数
商品型号 :
SQJ946EP-T1_GE3
类目 :
品牌 :
VISHAY(威世)
最小包装量 :
1
起订量 :
5
批次 :
--
包装 :
--
库存 :
7168
系列
TrenchFET®
包装
卷带(TR);剪切带(CT)
技术
MOSFET(金属氧化物)
配置
2 N-通道(双)
FET 功能
--
漏源电压(Vdss)
40V
25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)
15A(Tc)
不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)
33 毫欧@7A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V@250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
20nC@10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
600pF@25V
功率 - 最大值
27W
工作温度
-55℃~175℃(TJ)
等级
汽车级
资质
AEC-Q101
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
PowerPAK® SO-8 双
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8 双
基本产品编号
SQJ946
ECCN
EAR99
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