SIZF928DT-T1-GE3

商品型号 :

SIZF928DT-T1-GE3

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

VISHAY(威世)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

11897

系列

TrenchFET® Gen IV

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

技术

MOSFET(金属氧化物)

配置

2 N-通道(双)

FET 功能

--

漏源电压(Vdss)

30V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

33A(Ta),88A(Tc),61A(Ta),248A(Tc)

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

2.45 毫欧@10A,10V,0.75 毫欧@15A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

--

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

--

功率 - 最大值

3.9W(Ta),28W(Tc),4.5W(Ta),74W(Tc)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

8-PowerWDFN

供应商器件封装

8-PowerPair®(6x5)

基本产品编号

SIZF928

ECCN

EAR99