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BSS84PH6327XTSA2

阶梯

美金

含税

1+

$0.3358

¥2.5652

10+

$0.2116

¥1.6168

25+

$0.1664

¥1.2712

100+

$0.1327

¥1.014

250+

$0.1316

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$0.0969

¥0.7399

1000+

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3000+

$0.072

¥0.5502

6000+

$0.0543

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关税
  • 库存:6500
  • 起订量:1
  • 倍数:1

货期:

大陆: 9-12工作日
香港: 6-9工作日

数量:

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合计:

¥2.5652

  • 包装:Cut Strips
  • 最小包装量:1
  • 批次:2301+

商品BSS84PH6327XTSA2规格参数

商品型号 :

BSS84PH6327XTSA2

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Infineon(英飞凌)/Cypress

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

2301+

包装 :

Cut Strips

库存 :

6500

系列

SIPMOS®

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

P 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

60V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

170mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

8 欧姆@170mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2V@20µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

1.5 nC@10 V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

19pF@25 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

360mW(Ta)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

等级

汽车级

资质

AEC-Q101

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-SOT23

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

基本产品编号

BSS84

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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