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SQ4425EY-T1_BE3

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商品SQ4425EY-T1_BE3规格参数

商品型号 :

SQ4425EY-T1_BE3

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

VISHAY(威世)

最小包装量 :

2500

起订量 :

2500

批次 :

2543+

包装 :

--

库存 :

2500

系列

TrenchFET®

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

P 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

30V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

18A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

12 毫欧@13A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2.5V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

50 nC@4.5 V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

3630pF@25 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

6.8W(Tc)

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

等级

汽车级

资质

AEC-Q101

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

8-SOIC

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

基本产品编号

SQ4425

ECCN

EAR99

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  • SQ4425EY-T1_BE3

    品牌: VISHAY(威世)

    分类: 场效应管(MOSFET)

    封装: 8-SOIC

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