百能云芯(元器件)首页 > 元器件分类 > 晶体管 > 场效应管(MOSFET) > STP3N150
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货期:
品牌:
分类:
封装:
TO-220
描述:
N沟道,电流:2.5A,耐压:1500V
商品型号 :
STP3N150
类目 :
品牌 :
ST(意法半导体)
最小包装量 :
50
起订量 :
1
批次 :
--
包装 :
--
库存 :
909
系列
PowerMESH™
包装
管件
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
1500V
25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.5A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)
9 欧姆@1.3A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V@250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
29.3 nC@10 V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
939pF@25 V
FET 功能
--
功率耗散(最大值)
140W(Tc)
工作温度
150℃(TJ)
等级
--
资质
--
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
STP3N150
REACH 状态
不受 REACH影响
ECCN
EAR99
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