FQI7N60TU

商品型号 :

FQI7N60TU

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

onsemi(安森美)/Fairchild

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

2025+

包装 :

--

库存 :

990

系列

QFET®

包装

散装

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

600V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

7.4A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

1 欧姆@3.7A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

5V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

38 nC@10 V

Vgs(最大值)

±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

1430pF@25 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

3.13W(Ta),142W(Tc)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

通孔

供应商器件封装

I2PAK(TO-262)

封装/外壳

TO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AA

基本产品编号

FQI7N60

ECCN

EAR99