IKD08N65ET6ARMA1

商品型号 :

IKD08N65ET6ARMA1

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Infineon(英飞凌)/Cypress

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

2940

系列

TRENCHSTOP™

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

IGBT 类型

沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值)

650V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值)

15A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)

25A

不同 Vge,Ic 时 Vce(on)(最大值)

1.9V@15V,5A

功率 - 最大值

47W

开关能量

110µJ(导通),40µJ(关断)

输入类型

标准

栅极电荷

17 nC

25℃ 时 Td(开/关)值

20ns/59ns

测试条件

400V,5A,47 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr)

43ns

工作温度

-40℃~175℃(TJ)

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63

供应商器件封装

PG-TO252-3

基本产品编号

IKD08N65

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99