百能云芯(元器件)首页 > 元器件分类 > 晶体管 > 场效应管(MOSFET) > IKD04N60RC2ATMA1
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货期:
品牌:
分类:
封装:
PG-TO252-3
描述:
IGBT, 600V, 8A, 36.6W, TO-252
商品型号 :
IKD04N60RC2ATMA1
类目 :
品牌 :
Infineon(英飞凌)/Cypress
最小包装量 :
1
起订量 :
1
批次 :
--
包装 :
--
库存 :
2055
系列
TRENCHSTOP™
包装
卷带(TR);剪切带(CT)
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值)
600V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
8A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
12A
不同 Vge,Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.3V@15V,4A
功率 - 最大值
36.6W
开关能量
100µJ(导通),40µJ(关断)
输入类型
标准
栅极电荷
24 nC
25℃ 时 Td(开/关)值
4ns/90ns
测试条件
400V,4A,49 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr)
80ns
工作温度
-40℃~175℃(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
供应商器件封装
PG-TO252-3
基本产品编号
IKD04N60
REACH 状态
不受 REACH影响
ECCN
EAR99
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