FDC6321C

商品型号 :

FDC6321C

类目 :

其它

品牌 :

Onsemi(安森美)

最小包装量 :

1

起订量 :

5

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

23441

系列

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包装

卷带(TR);剪切带(CT)

技术

MOSFET(金属氧化物)

配置

N 和 P 沟道

FET 功能

逻辑电平门

漏源电压(Vdss)

25V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

680mA,460mA

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

450 毫欧@500mA,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

1.5V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

2.3nC@5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

50pF@10V

功率 - 最大值

700mW

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

供应商器件封装

SuperSOT™-6

基本产品编号

FDC6321

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99