G3R160MT12D

商品型号 :

G3R160MT12D

类目 :

其它

品牌 :

GeneSiC Semiconductor

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

5

系列

G3R™

包装

管件

FET 类型

N 通道

技术

SiCFET(碳化硅)

漏源电压(Vdss)

1200V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

22A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

15V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

192 毫欧@10A,15V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2.69V@5mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

28 nC@15 V

Vgs(最大值)

±15V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

730pF@800 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

123W(Tc)

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

通孔

供应商器件封装

TO-247-3

封装/外壳

TO-247-3

基本产品编号

G3R160

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99