NVH4L040N120SC1

商品型号 :

NVH4L040N120SC1

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Onsemi(安森美)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

640

系列

--

包装

管件

FET 类型

N 通道

技术

SiCFET(碳化硅)

漏源电压(Vdss)

1200V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

58A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

20V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

56毫欧@35A,20V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

4,3V@10mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

106 nC@20 V

Vgs(最大值)

+25V,-15V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

1762pF@800 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

319W(Tc)

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

等级

汽车级

资质

AEC-Q101

安装类型

通孔

供应商器件封装

TO-247-4L

封装/外壳

TO-247-4

基本产品编号

NVH4L040

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99