NTTFD9D0N06HLTWG

商品型号 :

NTTFD9D0N06HLTWG

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Onsemi(安森美)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

3000

系列

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包装

卷带(TR);剪切带(CT)

技术

MOSFET(金属氧化物)

配置

2 N-通道(双)

FET 功能

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漏源电压(Vdss)

60V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

9A(Ta),38A(Tc)

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

9 毫欧@10A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2V@50µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

13.5nC@10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

948pF@30V

功率 - 最大值

1.7W(Ta),26W(Tc)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

12-PowerWQFN

供应商器件封装

12-WQFN(3.3x3.3)

基本产品编号

NTTFD9

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99