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NSVMUN5135DW1T1G

阶梯

美金

含税

5+

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¥2.3279

10+

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¥1.4096

100+

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¥0.8788

500+

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¥0.7432

1000+

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¥0.6279

5000+

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¥0.5126

  • 库存:3751
  • 起订量:5
  • 倍数:5

货期:

大陆: 10-12工作日

数量:

- +

合计:

¥11.6395

  • 最小包装量:1

商品NSVMUN5135DW1T1G规格参数

商品型号 :

NSVMUN5135DW1T1G

类目 :

三极管(BJT)

品牌 :

Onsemi(安森美)

最小包装量 :

1

起订量 :

5

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

3751

系列

--

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

晶体管类型

2 个 PNP 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值)

100mA

电压 - 集射极击穿(最大值)

50V

电阻器 - 基极 (R1)

2.2 千欧

电阻器 - 发射极 (R2)

47 千欧

不同 Ic,Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)

80@5mA,10V

不同 Ib,Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)

250mV@300µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值)

500nA

频率 - 跃迁

--

功率 - 最大值

250mW

等级

汽车级

资质

AEC-Q101

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装

SC-88/SC70-6/SOT-363

基本产品编号

MUN5135

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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