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IPN70R900P7SATMA1
阶梯
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- 库存：2855
- 起订量：5
- 倍数：5
货期：
-
品牌：
-
分类：
-
封装：
PG-SOT223
-
描述：
场效应管, MOSFET, N沟道, 700V, 6A, 6.5W, SOT-223
- 最小包装量：1
IPN70R900P7SATMA1其他库存
商品IPN70R900P7SATMA1规格参数
商品型号 :
IPN70R900P7SATMA1
类目 :
品牌 :
Infineon(英飞凌)/Cypress
最小包装量 :
1
起订量 :
5
批次 :
--
包装 :
--
库存 :
2855
系列
CoolMOS™ P7
包装
卷带(TR);剪切带(CT)
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
700V
25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)
6A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)
900 毫欧@1.1A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V@60µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
6.8 nC@10 V
Vgs(最大值)
±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
211pF@400 V
FET 功能
--
功率耗散(最大值)
6.5W(Tc)
工作温度
-40℃~150℃(TJ)
等级
--
资质
--
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-SOT223
封装/外壳
TO-261-4,TO-261AA
基本产品编号
IPN70R900
REACH 状态
不受 REACH影响
ECCN
EAR99
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