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QH8JA1TCR

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商品QH8JA1TCR规格参数

商品型号 :

QH8JA1TCR

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Rohm(罗姆)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

3000

系列

--

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

技术

--

配置

2 个 P 沟道(双)

FET 功能

--

漏源电压(Vdss)

20V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

5A

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

38 毫欧@5A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

1.2V@1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

10.2nC@4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

720pF@10V

功率 - 最大值

1.5W

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

8-SMD,扁平引线

供应商器件封装

TSMT8

基本产品编号

QH8JA1

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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  • QH8JA1TCR

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    分类: 场效应管(MOSFET)

    封装: TSMT8

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  • QH8JA1TCR

    品牌: Rohm(罗姆)

    分类: 场效应管(MOSFET)

    封装: TSMT8

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