百能云芯(元器件)首页 > 元器件分类 > 晶体管 > 场效应管(MOSFET) > IPD60R360P7SAUMA1
阶梯
美金
含税
1+
--
¥10.1766
10+
--
¥6.4071
100+
--
¥4.2287
500+
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¥3.289
1000+
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¥2.5842
5000+
--
¥2.5628
货期:
品牌:
分类:
封装:
PG-TO252-3
描述:
场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 9A, TO-252
单 价:
品 牌:
Infineon(英飞凌)/Cypress
库 存:
1849
起订量:
2500
单 价:
品 牌:
Infineon(英飞凌)/Cypress
库 存:
5000
起订量:
2500
单 价:
品 牌:
Infineon(英飞凌)/Cypress
库 存:
2495
起订量:
1
商品型号 :
IPD60R360P7SAUMA1
类目 :
品牌 :
Infineon(英飞凌)/Cypress
最小包装量 :
1
起订量 :
1
批次 :
--
包装 :
--
库存 :
2495
系列
CoolMOS™ P7
包装
卷带(TR);剪切带(CT)
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
600V
25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)
9A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)
360 毫欧@2.7A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V@140µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
13 nC@10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
555pF@400 V
FET 功能
--
功率耗散(最大值)
41W(Tc)
工作温度
-40℃~150℃(TJ)
等级
--
资质
--
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO252-3
封装/外壳
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
基本产品编号
IPD60R
REACH 状态
不受 REACH影响
ECCN
EAR99
阶梯
香港交货
大陆交货(含税)
库存: 1849
标准包: 1
增量: 2500
2500+
$0.3991
¥3.1049
5000+
$0.369
¥2.8706
7500+
$0.3536
¥2.7513
12500+
$0.3364
¥2.6173
17500+
$0.3262
¥2.538
25000+
$0.3163
¥2.4609
关税
库存: 5000
标准包: 2500
增量: 2500
批次: 2614+
2500+
$0.3517
¥2.7362
5000+
$0.3212
¥2.4991
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