百能云芯(元器件)首页 > 元器件分类 > 晶体管 > 场效应管(MOSFET) > TP2104K1-G
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货期:
品牌:
分类:
封装:
SOT-23-3
描述:
芯片, D-场效应管, MOSFET, P沟道, -0.16A, -40V, TO-236AB-3
商品型号 :
TP2104K1-G
类目 :
品牌 :
MICROCHIP/ATMEL
最小包装量 :
1
起订量 :
1
批次 :
--
包装 :
--
库存 :
2988
系列
--
包装
卷带(TR);剪切带(CT)
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
40V
25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)
160mA(Tj)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)
6 欧姆@500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V@1mA
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
60pF@25 V
FET 功能
--
功率耗散(最大值)
360mW(Ta)
工作温度
-55℃~150℃
等级
--
资质
--
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-23-3
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
基本产品编号
TP2104
REACH 状态
不受 REACH影响
ECCN
EAR99
阶梯
香港交货
大陆交货(含税)
库存: 2988
标准包: 1
增量: 1
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关税
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增量: 3000
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