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FDMS86500DC

阶梯

美金

含税

5+

--

¥20.9832

50+

--

¥20.0221

100+

--

¥19.0611

500+

--

¥16.7545

1500+

--

¥16.4235

  • 库存:3733
  • 起订量:5
  • 倍数:5

货期:

大陆: 10-12工作日

数量:

- +

合计:

¥104.916

  • 最小包装量:1

商品FDMS86500DC规格参数

商品型号 :

FDMS86500DC

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Onsemi(安森美)

最小包装量 :

1

起订量 :

5

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

3733

系列

Dual Cool™,PowerTrench®

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

60V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

29A(Ta),108A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

8V,10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

2.3 毫欧@29A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

4.5V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

107 nC@10 V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

7680pF@30 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

3.2W(Ta),125W(Tc)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

8-PQFN(5x6)

封装/外壳

8-PowerTDFN

基本产品编号

FDMS86500

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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