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STGP10H60DF

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商品STGP10H60DF规格参数

商品型号 :

STGP10H60DF

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

ST(意法半导体)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

902

系列

--

包装

管件

IGBT 类型

沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值)

600V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值)

20A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)

40A

不同 Vge,Ic 时 Vce(on)(最大值)

1.95V@15V,10A

功率 - 最大值

115W

开关能量

83µJ(导通),140µJ(关断)

输入类型

标准

栅极电荷

57 nC

25℃ 时 Td(开/关)值

19.5ns/103ns

测试条件

400V,10A,10 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr)

107ns

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-220-3

供应商器件封装

TO-220

基本产品编号

STGP10

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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  • STGP10H60DF

    品牌: ST(意法半导体)

    分类: 场效应管(MOSFET)

    封装: TO-220

    库存: 1998

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  • STGP10H60DF

    品牌: ST(意法半导体)

    分类: 场效应管(MOSFET)

    封装: TO-220

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