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BSC160N15NS5ATMA1
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- 起订量：5
- 倍数：5
货期：
-
品牌：
-
分类：
-
封装：
PG-TDSON-8-7
-
描述：
场效应管, MOSFET, N沟道, 150V, 56A, TDSON-8
- 最小包装量：1
BSC160N15NS5ATMA1其他库存
商品BSC160N15NS5ATMA1规格参数
商品型号 :
BSC160N15NS5ATMA1
类目 :
品牌 :
Infineon(英飞凌)/Cypress
最小包装量 :
1
起订量 :
5
批次 :
--
包装 :
--
库存 :
9371
系列
OptiMOS™
包装
卷带(TR);剪切带(CT)
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
150V
25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)
56A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
8V,10V
不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)
16 毫欧@28A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.6V@60µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
23.1 nC@10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1820pF@75 V
FET 功能
--
功率耗散(最大值)
96W(Tc)
工作温度
-55℃~150℃(TJ)
等级
--
资质
--
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TDSON-8-7
封装/外壳
8-PowerTDFN
基本产品编号
BSC160
REACH 状态
不受 REACH影响
ECCN
EAR99
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