百能云芯(元器件)首页 > 元器件分类 > 晶体管 > 场效应管(MOSFET) > IRF7820TRPBF
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货期:
品牌:
分类:
封装:
8-SOIC
描述:
场效应管, MOSFET, N沟道, 200V, 3.7A, SOIC
商品型号 :
IRF7820TRPBF
类目 :
品牌 :
Infineon(英飞凌)/Cypress
最小包装量 :
1
起订量 :
1
批次 :
--
包装 :
--
库存 :
33240
系列
HEXFET®
包装
卷带(TR);剪切带(CT)
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
200V
25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.7A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)
78 毫欧@2.2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V@100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
44 nC@10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1750pF@100 V
FET 功能
--
功率耗散(最大值)
2.5W(Ta)
工作温度
-55℃~150℃(TJ)
等级
--
资质
--
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-SOIC
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
基本产品编号
IRF7820
REACH 状态
不受 REACH影响
ECCN
EAR99
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库存: 3514
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增量: 1
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