SVD5865NLT4G

商品型号 :

SVD5865NLT4G

类目 :

其它

品牌 :

Onsemi(安森美)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

1910

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

60V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

10A(Ta),46A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

16 毫欧@19A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2V@250µA

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

1400pF@25 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

3.1W(Ta),71W(Tc)

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

湿气等级

1(无限)