STD12NF06L-1

商品型号 :

STD12NF06L-1

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

ST(意法半导体)

最小包装量 :

1

起订量 :

5

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

2423

系列

STripFET™ II

包装

管件

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

60V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

12A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

5V,10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

100 毫欧@6A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

10 nC@5 V

Vgs(最大值)

±16V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

350pF@25 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

42.8W(Tc)

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

通孔

供应商器件封装

IPAK

封装/外壳

TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA

基本产品编号

STD12

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99