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IPN70R1K5CEATMA1

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商品IPN70R1K5CEATMA1规格参数

商品型号 :

IPN70R1K5CEATMA1

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Infineon(英飞凌)/Cypress

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

38

系列

CoolMOS™

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

700V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

5.4A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

1.5 欧姆@1A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

3.5V@100µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

10.5 nC@10 V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

225pF@100 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

5W(Tc)

工作温度

-40℃~150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-SOT223-3

封装/外壳

TO-261-4,TO-261AA

基本产品编号

IPN70R1

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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  • IPN70R1K5CEATMA1

    品牌: Infineon(英飞凌)/Cypress

    分类: 场效应管(MOSFET)

    封装: PG-SOT223-3

    库存: 1

    标准包: 1

    增量: 1

    批次: 2230+

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  • IPN70R1K5CEATMA1

    品牌: Infineon(英飞凌)/Cypress

    分类: 场效应管(MOSFET)

    封装: PG-SOT223-3

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