DMG6601LVT-7

商品型号 :

DMG6601LVT-7

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

DIODES(美台)

最小包装量 :

1

起订量 :

5

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

80

系列

--

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

技术

MOSFET(金属氧化物)

配置

N 和 P 沟道

FET 功能

逻辑电平门

漏源电压(Vdss)

30V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

3.8A,2.5A

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

55 毫欧@3.4A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

1.5V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

12.3nC@10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

422pF@15V

功率 - 最大值

850mW

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

供应商器件封装

TSOT-26

基本产品编号

DMG6601

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99