SI6562CDQ-T1-GE3

商品型号 :

SI6562CDQ-T1-GE3

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

VISHAY(威世)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

89

系列

TrenchFET®

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

技术

MOSFET(金属氧化物)

配置

N 和 P 沟道

FET 功能

逻辑电平门

漏源电压(Vdss)

20V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

6.7A,6.1A

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

22 毫欧@5.7A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

1.5V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

23nC@10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

850pF@10V

功率 - 最大值

1.6W,1.7W

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)

供应商器件封装

8-TSSOP

基本产品编号

SI6562

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99