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C2M0025120D

阶梯

美金

含税

1+

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¥1000.1037

5+

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¥916.0106

10+

--

¥831.9176

50+

--

¥757.7235

  • 库存:55
  • 起订量:1
  • 倍数:1

货期:

大陆: 10-12工作日

数量:

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合计:

¥1000.1037

  • 最小包装量:1

商品C2M0025120D规格参数

商品型号 :

C2M0025120D

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

CREE/WOLFSPEED

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

55

系列

Z-FET™

包装

管件

FET 类型

N 通道

技术

SiCFET(碳化硅)

漏源电压(Vdss)

1200V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

90A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

20V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

34 毫欧@50A,20V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2.4V@10mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

161 nC@20 V

Vgs(最大值)

+25V,-10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

2788pF@1000 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

463W(Tc)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

通孔

供应商器件封装

TO-247-3

封装/外壳

TO-247-3

基本产品编号

C2M0025120

REACH 状态

受 REACH 影响

ECCN

EAR99

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