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货期:
品牌:
分类:
描述:
场效应管, MOSFET, N沟道, 1700V, 4.9A, SIC, TO247
商品型号 :
C2M1000170D
类目 :
品牌 :
CREE/WOLFSPEED
最小包装量 :
1
起订量 :
1
批次 :
--
包装 :
--
库存 :
17
FET 类型
N 通道
技术
SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)
1700V
25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.9A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
20V
不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)
1.1 欧姆@2A,20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.4V@100µA
Vgs(最大值)
+25V,-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
191pF@1000 V
FET 功能
--
功率耗散(最大值)
69W(Tc)
工作温度
-55℃~150℃(TJ)
湿气等级
1(无限)
产品状态
在售
阶梯
香港交货
大陆交货(含税)
库存: 360000
标准包: 30
增量: 30
批次: 26+
30+
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