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BSC123N10LSGATMA1

阶梯

美金

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1+

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¥20.6629

10+

--

¥13.0918

100+

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¥8.8738

500+

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¥7.1653

1000+

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¥6.012

5000+

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¥5.681

  • 库存:1101
  • 起订量:1
  • 倍数:1

货期:

大陆: 10-12工作日

数量:

- +

合计:

¥20.6629

  • 最小包装量:1

商品BSC123N10LSGATMA1规格参数

商品型号 :

BSC123N10LSGATMA1

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Infineon(英飞凌)/Cypress

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

1101

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

100V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

10.6A(Ta),71A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

12.3 毫欧@50A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2.4V@72µA

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

4900pF@50 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

114W(Tc)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

湿气等级

1(无限)

产品状态

最后售卖

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