IRF9952TRPBF

商品型号 :

IRF9952TRPBF

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Infineon(英飞凌)/Cypress

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

2607+

包装 :

Cut Strips

库存 :

4005

系列

HEXFET®

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

技术

MOSFET(金属氧化物)

配置

N 和 P 沟道

FET 功能

逻辑电平门

漏源电压(Vdss)

30V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

3.5A,2.3A

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

100 毫欧@2.2A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

1V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

14nC@10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

190pF@15V

功率 - 最大值

2W

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

供应商器件封装

8-SO

基本产品编号

IRF995

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99